TJ60S06M3LT6L1.NQ vs TJ60S06M3L Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de TJ60S06M3LT6L1.NQ par Toshiba et TJ60S06M3L par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | TJ60S06M3LT6L1.NQ | TJ60S06M3L |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | Toshiba |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,54 |
| Polarity | P-channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -60 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 0.0112 ohm | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF | 7760 pF (typ.) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | DPAK+ (TO-252) | DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Technology | Toshiba U-MOS (silicon) | U-MOSVI (Trench MOSFET) |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified | Yes (per Toshiba product positioning) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -60 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 100 W (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vth) | — | -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA |
| Drain Leakage Current (IDSS) | — | -10 µA (max) at VDS = -40 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS compliant |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) |
| Manufacturer | — | Toshiba Electronic Devices & Storage |
| Cell Technology | — | Trench (enhancement mode) |