TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GB-TPL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP182GB-TPL.E(T par Toshiba et TLP183(GB-TPL par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GB-TPL
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,12
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
Boîtier 4-Lead SO6 (SMD) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) DC (InGaAs Infrared LED)
Type de sortie Phototransistor (NPN) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 80 V 80 V max
Courant de collecteur (Ic) 50 mA 50 mA max
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V —
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
Plage de température de fonctionnement -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Température de fonctionnement — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Fiches techniques et ressources

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