TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GB-TPL 비교

다음의 상세 나란히 비교: TLP182GB-TPL.E(T 제조: Toshiba 및 TLP183(GB-TPL 제조: Toshiba. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GB-TPL
브랜드 Toshiba Toshiba
카테고리 Optocouplers Optocouplers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.29 $0.12
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
패키지 4-Lead SO6 (SMD) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) DC (InGaAs Infrared LED)
출력 유형 Phototransistor (NPN) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 80 V 80 V max
컬렉터 전류 (Ic) 50 mA 50 mA max
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V —
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
동작 온도 범위 -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
동작 온도 — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

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