TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GB-TPL Сравнение

Подробное сравнение бок о бок TLP182GB-TPL.E(T от Toshiba и TLP183(GB-TPL от Toshiba. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GB-TPL
Бренд Toshiba Toshiba
Категория Optocouplers Optocouplers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,29 $0,12
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
Корпус 4-Lead SO6 (SMD) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) DC (InGaAs Infrared LED)
Тип выхода Phototransistor (NPN) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) 80 V 80 V max
Ток коллектора (Ic) 50 mA 50 mA max
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V —
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
Диапазон рабочих температур -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Рабочая температура — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену