UCC21521DWR vs UCC21550Q-Q1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21521DWR par Texas Instruments et UCC21550Q-Q1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Actif
Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21521DWR UCC21550Q-Q1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $2,10
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms 5000 Vrms (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive coupling
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +150C
Boîtier SOIC-16 (DW) 16-SOIC (DW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Number of Channels — 2
Programmable Dead Time — Yes (single resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Disable Function — Yes
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VDD range]

Fiches techniques et ressources

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