UCC21521DWR vs UCC21550Q-Q1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21521DWR por Texas Instruments e UCC21550Q-Q1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Ativo
Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21521DWR UCC21550Q-Q1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,15 $2,10
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms 5000 Vrms (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive coupling
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +150C
Encapsulamento SOIC-16 (DW) 16-SOIC (DW)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Number of Channels — 2
Programmable Dead Time — Yes (single resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Disable Function — Yes
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: VDD range]

Fichas técnicas e recursos

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