UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21530 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21540QDWKRQ1 par Texas Instruments et UCC21530 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21540QDWKRQ1 UCC21530
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $1,75
Number of Channels 2 —
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive, reinforced
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) 3.3 mm
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN —
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) Yes, input and output sides
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Boîtier 14-SOIC (DWK) SOIC-14 (DWK), surface mount
Type de montage Surface Mount —
Température de fonctionnement Wide temperature range (automotive) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS Compliant Compliant
Canaux — 2 (isolated dual-channel)
Peak Output Current (Source) — 4 A
Peak Output Current (Sink) — 6 A
Isolation Rating — 5700 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — 125 V/ns minimum
Max Switching Frequency — 5 MHz
Broche d'activation — Yes
Programmable Dead Time — Yes (DT pin)
Target Power Devices — IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay typ]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range]

Fiches techniques et ressources

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