UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21530 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments y UCC21530 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21540QDWKRQ1 UCC21530
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,21 $1,75
Number of Channels 2 —
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive, reinforced
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) 3.3 mm
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN —
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) Yes, input and output sides
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Encapsulado 14-SOIC (DWK) SOIC-14 (DWK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento Wide temperature range (automotive) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS Compliant Compliant
Canales — 2 (isolated dual-channel)
Peak Output Current (Source) — 4 A
Peak Output Current (Sink) — 6 A
Isolation Rating — 5700 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — 125 V/ns minimum
Max Switching Frequency — 5 MHz
Patilla de habilitación — Yes
Programmable Dead Time — Yes (DT pin)
Target Power Devices — IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay typ]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range]

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