UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21530 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments e UCC21530 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21540QDWKRQ1 UCC21530
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,21 $1,75
Number of Channels 2 —
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive, reinforced
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) 3.3 mm
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN —
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) Yes, input and output sides
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Encapsulamento 14-SOIC (DWK) SOIC-14 (DWK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação Wide temperature range (automotive) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS Compliant Compliant
Canais — 2 (isolated dual-channel)
Peak Output Current (Source) — 4 A
Peak Output Current (Sink) — 6 A
Isolation Rating — 5700 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — 125 V/ns minimum
Max Switching Frequency — 5 MHz
Pino de habilitação — Yes
Programmable Dead Time — Yes (DT pin)
Target Power Devices — IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay typ]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range]

Fichas técnicas e recursos

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