UCC21710QDWRQ1 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21710QDWRQ1 par Texas Instruments et UCC21540QDWKRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21710QDWRQ1 UCC21540QDWKRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,74 $2,21
Fonction Single-channel isolated gate driver —
Isolation Technology SiO2 capacitive coupling —
Isolation Rating (rms) 5.7 kVrms (reinforced) —
Working Voltage (rms) 1.5 kVrms —
Peak Source Current +10 A 4 A
Peak Sink Current -10 A 6 A
Target Switches SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs —
Propagation Delay (typ.) 60 ns —
CMTI (min.) 100 V/ns —
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) 12.8 V to 18 V —
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) 3 V to 5.5 V —
Protection Features DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off —
Boîtier 16-SOIC (DW) wide-body 14-SOIC (DWK)
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
Température de fonctionnement — Wide temperature range (automotive)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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