UCC21710QDWRQ1 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21710QDWRQ1 por Texas Instruments e UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21710QDWRQ1 UCC21540QDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,74 $2,21
Função Single-channel isolated gate driver —
Isolation Technology SiO2 capacitive coupling —
Isolation Rating (rms) 5.7 kVrms (reinforced) —
Working Voltage (rms) 1.5 kVrms —
Peak Source Current +10 A 4 A
Peak Sink Current -10 A 6 A
Target Switches SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs —
Propagation Delay (typ.) 60 ns —
CMTI (min.) 100 V/ns —
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) 12.8 V to 18 V —
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) 3 V to 5.5 V —
Protection Features DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off —
Encapsulamento 16-SOIC (DW) wide-body 14-SOIC (DWK)
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
Temperatura de operação — Wide temperature range (automotive)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação