VNQ660SP vs VNQ660SPTR-E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de VNQ660SP par STMicroelectronics et VNQ660SPTR-E par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre VNQ660SP VNQ660SPTR-E
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,45 $5,37
Part Number VNQ660SP —
Manufacturer STMicroelectronics —
Technology VIPower M0-3 ST VIPower M0-3 (vertical DMOS)
Fonction Quad Channel High-Side Solid State Relay Quad-channel high-side solid-state relay
Number of Channels 4 4
Configuration de sortie High-Side (N-Channel MOSFET) —
On-Resistance RDS(on) per Channel 50 mΩ (typical) —
Continuous Output Current per Channel 6 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 36 V —
Input Compatibility CMOS-compatible logic inputs CMOS logic-level inputs
Open-Load Detection Yes (off-state) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Clamp Yes (active avalanche) —
Arrêt thermique Yes —
Current Limitation Yes —
Boîtier PowerSO-10 (10-pin with exposed pad) PowerSO-10 with exposed bottom pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Switch Type — High-side N-channel power MOSFET
Supply Voltage (VCC) — 6 V to 36 V
Maximum Continuous Output Current (per channel) — 6 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 40 mOhm typical (per channel)
Protection Features — Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection
Status Feedback — Analog status flag per channel
Off-State Quiescent Current — [DATA_NEEDED: standby Iq]
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Maximum Power Dissipation — 113.6 W (with proper thermal design)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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