W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W989D6DBGX6I-TR par Winbond et W989D6DBGX6I par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W989D6DBGX6I-TR | W989D6DBGX6I |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Winbond |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $6,10 |
| Type de mémoire | Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) | Mobile LPSDR SDRAM |
| Density | 512 Mbit | — |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 (16-bit data bus) | 32M words x 16 bit |
| Fréquence d'horloge maximale | 166 MHz | 166 MHz |
| Clock Access Time | 5 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range | — |
| Number of Internal Banks | 4 | — |
| CAS Latency (CL) | 2 / 3 selectable via MRS | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, full page | 1, 2, 4, 8, Full Page |
| Refresh Window | 1024 cycles / 16 ms | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (Industrial) | -40C to +85C (Industrial) |
| Boîtier | 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm | 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) |
| Process Technology | 46 nm | 46 nm CMOS |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Option | Tape & Reel (-TR suffix) | — |
| Low-Power Modes | Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | 3 |
| Lead-Free | Yes | — |
| Memory Density | — | 512 Mbit (32M x 16) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Access Time | — | 5 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.8 V (typ) |
| Type d'interface | — | Parallel, LVCMOS |
| Number of Banks | — | 4 |
| Latence CAS | — | Programmable 2 or 3 |
| Self-Refresh | — | Yes (with PASR) |
| Deep Power-Down | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |