W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I 비교
다음의 상세 나란히 비교: W989D6DBGX6I-TR 제조: Winbond 및 W989D6DBGX6I 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W989D6DBGX6I-TR | W989D6DBGX6I |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.18 | $6.10 |
| 메모리 유형 | Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) | Mobile LPSDR SDRAM |
| Density | 512 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 32M x 16 (16-bit data bus) | 32M words x 16 bit |
| 최대 클록 주파수 | 166 MHz | 166 MHz |
| Clock Access Time | 5 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range | — |
| Number of Internal Banks | 4 | — |
| CAS Latency (CL) | 2 / 3 selectable via MRS | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, full page | 1, 2, 4, 8, Full Page |
| Refresh Window | 1024 cycles / 16 ms | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C (Industrial) | -40C to +85C (Industrial) |
| 패키지 | 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm | 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) |
| Process Technology | 46 nm | 46 nm CMOS |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Option | Tape & Reel (-TR suffix) | — |
| Low-Power Modes | Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 3 (168 hours) | 3 |
| Lead-Free | Yes | — |
| Memory Density | — | 512 Mbit (32M x 16) |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| Access Time | — | 5 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.8 V (typ) |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, LVCMOS |
| Number of Banks | — | 4 |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable 2 or 3 |
| Self-Refresh | — | Yes (with PASR) |
| Deep Power-Down | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |