W989D6DBGX6I vs W989D6DBGX6I-TR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W989D6DBGX6I par Winbond et W989D6DBGX6I-TR par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W989D6DBGX6I | W989D6DBGX6I-TR |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Winbond |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,10 | $1,18 |
| Type de mémoire | Mobile LPSDR SDRAM | Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) |
| Memory Density | 512 Mbit (32M x 16) | — |
| Organisation de la mémoire | 32M words x 16 bit | 32M x 16 (16-bit data bus) |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 166 MHz | 166 MHz |
| Access Time | 5 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.8 V (typ) | — |
| Type d'interface | Parallel, LVCMOS | — |
| Number of Banks | 4 | — |
| Latence CAS | Programmable 2 or 3 | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, Full Page | 1, 2, 4, 8, full page |
| Self-Refresh | Yes (with PASR) | — |
| Deep Power-Down | Yes | — |
| Process Technology | 46 nm CMOS | 46 nm |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (Industrial) | -40C to +85C (Industrial) |
| Boîtier | 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) | 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 3 | 3 (168 hours) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 512 Mbit |
| Clock Access Time | — | 5 ns |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range |
| Number of Internal Banks | — | 4 |
| CAS Latency (CL) | — | 2 / 3 selectable via MRS |
| Refresh Window | — | 1024 cycles / 16 ms |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (-TR suffix) |
| Low-Power Modes | — | Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) |
| Lead-Free | — | Yes |