1EDN7116GXTMA1 vs 2EDF9275FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon ו 2EDF9275FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDF9275FXUMA1 2EDF9275FXUMA1 - 4A/8A Isolated Gate Driver | Infineon

2EDF9275FXUMA1 - 4A/8A Isolated Gate Driver | Infineon

2EDF9275FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7116GXTMA1 2EDF9275FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs —
Driver Configuration Non-inverting, single low-side Half-Bridge (High Side + Low Side)
Number of Drivers 1 2
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
מארז PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-DSO-16-11 (150-mil DSO-16)
סוג הרכבה Surface Mount —
רמת MSL MSL3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
מספר יציאות — 2
Source Current — 4 A
Sink Current — 8 A
Propagation Delay (Typ.) — 37 ns
Channel-to-Channel Matching — [DATA_NEEDED: channel-to-channel matching]
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Isolation Type — Functional (Galvanic, Coreless Transformer)
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL (Non-Inverting)
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC range]
זמן עלייה — [DATA_NEEDED: rise time]
זמן ירידה — 4.5 ns
סגנון הרכבה — SMD/SMT
Packaging — Cut Tape, MouseReel, Reel
Optimized For — CoolSiC™ MOSFETs (Wide-Bandgap)
REACH Status — [DATA_NEEDED: REACH status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר