1EDN7116GXTMA1 vs 2EDF9275FXUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7116GXTMA1 제조: Infineon 및 2EDF9275FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 1EDN7116GXTMA1 | 2EDF9275FXUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.84 | $0.74 |
| 기능 | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | — |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | Half-Bridge (High Side + Low Side) |
| Number of Drivers | 1 | 2 |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | — |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| 동작 온도 범위 | -40 °C to +125 °C | -40 °C to +125 °C |
| 패키지 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-DSO-16-11 (150-mil DSO-16) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| MSL 레벨 | MSL3 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| 출력 수 | — | 2 |
| Source Current | — | 4 A |
| Sink Current | — | 8 A |
| Propagation Delay (Typ.) | — | 37 ns |
| Channel-to-Channel Matching | — | [DATA_NEEDED: channel-to-channel matching] |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | — | 150 V/ns |
| Isolation Type | — | Functional (Galvanic, Coreless Transformer) |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS / TTL (Non-Inverting) |
| Supply Voltage Range | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| 상승 시간 | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| 하강 시간 | — | 4.5 ns |
| 장착 스타일 | — | SMD/SMT |
| Packaging | — | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| Optimized For | — | CoolSiC™ MOSFETs (Wide-Bandgap) |
| REACH Status | — | [DATA_NEEDED: REACH status] |