1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon ו 2EDN7533RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7116GXTMA1 2EDN7533RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Dual-channel low-side gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
מארז PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
טמפרטורת צומת פעולה — -40 C to +150 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר