2EDN7434RXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDN7434RXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDN7434RXTMA1 1EDN7136UXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family EiceDRIVER 2EDN —
Driver Configuration Dual-channel low-side —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Rated Output Current 4 A —
Output Resistance (Low) [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] —
Output Resistance (High) [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] —
Propagation Delay (Typ.) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL, non-inverting —
Absolute Max Input Voltage -12 V to +22 V —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VDD range] —
מארז PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature] -40 C to +150 C
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Active Output Voltage Clamping Yes —
פונקציה — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
מספר יציאות — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family convention)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר