2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDR8258XXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDR8258XXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Coreless transformer (galvanic)
Number of Channels 1 1
מספר יציאות 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (separate source/sink)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
מארז PG-DSO-14 (14-pin) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר