2N7002H6327XTSA2 vs BSS138NH6327XTSA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 2N7002H6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS138NH6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 2N7002H6327XTSA2 | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| מארז | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT-23 (3-pin) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |