AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16LY-062E:E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של AS4C512M16D4B-62BCNTR מאת Alliance Memory ו MT40A512M16LY-062E:E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ פעיל
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16LY-062E:E
מותג Alliance Memory Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
גודל זיכרון 8 Gbit (512M x 16) —
קצב נתונים 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
השהיית CAS 19 ns —
מתח אספקה 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
ממשק Parallel Parallel (LVCMOS / SSTL)
מארז 96-FBGA (7.5x13 mm) —
טמפרטורת פעולה 0°C to 95°C [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
ארגון 512M x 16 x16
Revision Rev.B —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Density — 8 Gbit (512M x 16)
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
מארז / Case — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
On-Die Termination — Yes (ODT)
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר