AT45DB041E-SHN2B-T vs AT45DB041E-SSHN2B-T השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של AT45DB041E-SHN2B-T מאת Renesas Electronics ו AT45DB041E-SSHN2B-T מאת Renesas Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Renesas Electronics
AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas
AT45DB041E-SHN2B-T ✓ פעילRenesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas
AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | AT45DB041E-SHN2B-T | AT45DB041E-SSHN2B-T |
|---|---|---|
| מותג | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash (DataFlash, SPI) | Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) |
| גודל זיכרון | 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra | 4 Mbit (4,194,304 bits) |
| ארגון | 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes) | 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) |
| Supply Voltage (VCC) | 1.65 V to 3.6 V | — |
| סוג ממשק | SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS) | SPI (Modes 0 and 3) / RapidS |
| תדר שעון מקסימלי | 85 MHz | 85 MHz |
| Page Size | 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) | 256 bytes / 264 bytes |
| SRAM Buffer | Dual, 256/264 bytes | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C (industrial) | -40 °C to +85 °C |
| מארז | 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width) | 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Sector Erase Size | 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase) | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: deep power-down typical value] | — |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 1.65 V to 3.6 V |
| SRAM Buffers | — | 2 x 256/264 bytes (dual buffer) |
| Sector / Block Erase | — | Page erase as small as 256 bytes |
| Write Protection | — | Hardware, Software, and Absolute write protection |
| Power-on Reset | — | Yes (integrated) |