BFU520R vs BFU520W השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BFU520R מאת NXP Semiconductors ו BFU520W מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BFU520R | BFU520W |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Transistors | Transistors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | NPN wideband silicon RF BJT | — |
| מתח אספן-פולט (Vceo) | 12 V | [DATA_NEEDED: VCEO] |
| Collector Current (IC max) | 30 mA | — |
| תדר מעבר (ft) | 10.5 GHz | [DATA_NEEDED: fT] |
| Total Power Dissipation | 450 mW | — |
| Frequency Range | up to 2 GHz application range | — |
| מארז | SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) | SOT323 (3-pin plastic) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Noise Performance | Low noise, high breakdown | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Family | BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) | — |
| Configuration | Single NPN, dual-emitter | — |
| Application Class | Small signal to medium power | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: TJ range] |
| Noise Figure | [DATA_NEEDED: noise figure in dB] | — |
| Gain | [DATA_NEEDED: gain] | — |
| Polarity | — | NPN |
| Technology | — | Silicon wideband RF BJT |
| Application Frequency Range | — | Up to 2 GHz |
| AEC-Q101 | — | Qualified |
| Product Family | — | NXP BFU5 family |
| Primary Use Case | — | High speed, low noise small-signal to medium power RF applications |
| מתח קולט-בסיס (Vcbo) | — | [DATA_NEEDED: VCBO] |
| Continuous Collector Current (IC) | — | [DATA_NEEDED: IC] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot] |
| Noise Figure (NF) | — | [DATA_NEEDED: NF] |
| DC Current Gain (hFE) | — | [DATA_NEEDED: hFE] |