BSC014N04LSATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC014N04LSATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55 C to +150 C |
| מארז | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| Tradename | — | OptiMOS |