BSC014N06NSATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC014N06NSATMA1 מאת Infineon ו BSC0504NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC014N06NSATMA1 BSC0504NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 156 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant unknown
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
מספר פינים — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
מתח סף שער — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
התנגדות תרמית — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר