BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC023N08NS5SCATMA1 מאת Infineon ו BSC052N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC023N08NS5SCATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC023N08NS5SCATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 188 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 98 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.8 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 74 pF | — |
| Thermal Resistance RthJC | 0.72 K/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C |
| מארז | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| רמת MSL | — | 1 (unlimited) |