BSC050N03LSGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC050N03LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC0906NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC050N03LSGATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC050N03LSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 80 A | 63 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 5 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| מארז | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction, typical) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| מספר פינים | — | 8 |