BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC072N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC030N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC072N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
מארז PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
נטול הלוגנים — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר