BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC072N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC040N10NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC072N08NS5ATMA1 | BSC040N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 74 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 7.2 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 139 W |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Shipping Pack | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 4 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 136 A |
| Output Capacitance Reduction | — | Up to 44% vs previous generation |
| RDS(on) Reduction | — | Up to 43% vs previous generation |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) |