BSC074N15NS5ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC074N15NS5ATMA1 מאת Infineon ו IPP075N15N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC074N15NS5ATMA1 | IPP075N15N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 114 A | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| מארז | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Body Diode | Integrated | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 7.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS Compliant |
| Ordering Code Suffix | — | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) |