BSC0902NSIATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0902NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC094N06LS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC0902NSIATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
מארז PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
Technology — OptiMOS™ 5 (logic-level)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר