BSC0906NSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0906NSATMA1 מאת Infineon ו BSC010NE2LSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0906NSATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | OptiMOS (Trench) |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (TJ) |
| מספר פינים | 8 | 8 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |