BSC0911NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0911NDATMA1 מאת Infineon ו BSC035N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0911NDATMA1 | BSC035N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| מארז | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 69 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |