BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC094N06LS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC060N10NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC094N06LS5ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
מארז PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 125 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 3.5 V
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen status]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר