BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC094N06LS5ATMA1 bằng Infineon và BSC060N10NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon

BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon

BSC094N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC094N06LS5ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
Hộp PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 125 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 3.5 V
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — [DATA_NEEDED: halogen status]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá