BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC123N08NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC100N10NSFGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC123N08NS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single with built-in body diode —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) 55 A —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) 11 A —
Maximum Pulsed Drain Current [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V 12.3 mOhm —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc) 66 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant with exemption Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר