BSZ0501NSIATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0501NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC019N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0501NSIATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
מארז PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max] -55 C to +150 C
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench)
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Avalanche Rated — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר