BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0501NSIATMA1 מאת Infineon ו BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0501NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
מארז PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
מספר פינים — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר