BSZ060NE2LSATMA1 vs IPT007N06NATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ060NE2LSATMA1 מאת Infineon ו IPT007N06NATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ060NE2LSATMA1 IPT007N06NATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ060NE2LSATMA1 —
Technology OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 44 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 26 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C -55 C to +175 C (TJ)
מארז PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Shipping Packaging Tape & Reel —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר