BSZ0994NSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0994NSATMA1 מאת Infineon ו BSC014NE2LSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ0994NSATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 30V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 13 A | 33 A |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.1 W | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| מארז | PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| On-Resistance (RDS(on), typ @10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |