CY14V104LA vs CY14V104LA-BA25XI השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CY14V104LA מאת Infineon ו CY14V104LA-BA25XI מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CY14V104LA CY14V104LA-BA25XI
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) —
סוג זיכרון Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 25 ns
ממשק Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
מארז 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
טמפרטורת פעולה -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] 20 years
סטטוס RoHS Compliant Compliant
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
גודל זיכרון — 4 Mbit
ארגון — 512K x 8 / 256K x 16
מתח אספקה — 3 V (typical 3.3 V)
STORE Cycle Endurance — 1,000,000 cycles minimum
SRAM Read/Write Endurance — Unlimited (infinite SRAM cycles)
Address Bus (x8 mode) — A0 to A18
Address Bus (x16 mode) — A0 to A17 with BHE/BLE byte enables
Non-Volatile Functions — Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin
Grade — Industrial

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר