EP3SE50F780I4LG vs EP3SE110F780I4LN השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE50F780I4LG מאת Intel ו EP3SE110F780I4LN מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE50F780I4LG | EP3SE110F780I4LN |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | פעיל |
| Series | Stratix III E | Stratix III E |
| Family | Stratix III | — |
| Logic Elements | 47,500 | 107,500 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 19,000 | — |
| Embedded Memory | 5.49 Mbit | — |
| Maximum User I/Os | 488 | — |
| מארז | 780-ball FCBGA (FBGA-780) | 780-BBGA, FCBGA (FBGA-780) |
| Operating Supply Voltage (Core) | 1.1 V | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 C to +100 C | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| DSP Blocks | Yes (dedicated, count not in source data) | Yes (DSP-intensive architecture) |
| High-Speed Transceivers | Multi-gigabit, count not in source data | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (G suffix = Pb-free) | — |
| Packaging | Tray | — |
| סוג זיכרון | Embedded SRAM block RAM | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 4,300 |
| Total Memory Bits | — | 8,936,448 |
| User I/O Count | — | 488 |
| Core Voltage | — | 0.9 V |
| Maximum Operating Frequency | — | 717 MHz |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +100C (Industrial) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free / RoHS compliant |
| Process Technology | — | 40 nm CMOS |
| Transceivers | — | Multi-gigabit embedded transceivers |
| Embedded Memory Type | — | M20K + MLAB |