EPF10K100ARC240-2 vs EPF10K100BQC240-1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EPF10K100ARC240-2 מאת Altera ו EPF10K100BQC240-1 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Intel
EPF10K100BQC240-1 - 100K FLEX-10K FPGA, 240-PQFP | Intel / Altera
EPF10K100BQC240-1 ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | EPF10K100ARC240-2 | EPF10K100BQC240-1 |
|---|---|---|
| מותג | Altera | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | רכישה אחרונה |
| Series / Family | FLEX 10KA (FLEX 10K embedded PLD family) | — |
| Device Type | Field Programmable Gate Array (FPGA) | — |
| Logic Elements (LEs) | 4,992 | 6,144 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 624 | — |
| Typical Gate Count | 100,000 gates | — |
| Embedded Memory | 24,576 RAM bits | — |
| Number of User I/Os | 189 | — |
| Maximum Operating Frequency | 142.86 MHz | — |
| Propagation Delay | 0.600 ns (distributor parametric listing; see validation note) | — |
| מתח אספקה | 3.3 V | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | -2 | -1 |
| מארז / Case | 240-pin RQFP (BFQFP) with exposed pad | — |
| Number of Terminals | 240 | — |
| Terminal Form | Gull wing | — |
| Package Shape | Square | — |
| סוג הרכבה | Surface mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0 C to +70 C (commercial grade) | — |
| Temperature Grading | Commercial | — |
| Configuration Memory Technology | [DATA_NEEDED: configuration memory technology] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status of the -2 speed grade] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] |
| Series | — | FLEX-10K |
| Family | — | FLEX-10K (EPF10K100B) |
| Typical Gates | — | 100,000 |
| Embedded Array Blocks (EABs) | — | 12 |
| Total RAM Bits | — | 24,576 (12 × 2,048 bits per EAB) |
| Maximum User I/O | — | 189 |
| Supply Voltage (VCCINT / VCCIO) | — | 4.75 V to 5.25 V |
| Combinatorial tPD (typical) | — | 11 ns |
| מארז | — | 240-pin BFQFP / PQFP (BQC suffix) |
| Package Dimensions | — | 32 mm × 32 mm |
| Process Technology | — | 0.42 µm SRAM CMOS |
| טמפרטורת פעולה | — | 0 °C to +70 °C (commercial) |
| Configuration Method | — | ByteBlasterMV / BitBlaster / JTAG |
| רמת MSL | — | 3 (per JEDEC J-STD-020) |