H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-PBC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G4NAFR-PBC מאת SK hynix ו H5AN8G6NCJR-PBC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G4NAFR-PBC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 2Gb x 4 | — |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V +/- 0.06 V | — |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) | — |
| Speed Bins (per datasheet) | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) | — |
| Bank Groups | 4 (BG0-BG1) | — |
| Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Row Address | A0-A16 (17 bits) | — |
| מארז | 78-ball FBGA | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (RoHS Compliant per datasheet) | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] | — |
| Geardown Mode Note | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled | — |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| קצב נתונים | — | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C |
| ממשק | — | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |