H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G4NAFR-PBC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $3.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2Gb x 4 | — |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V +/- 0.06 V | — |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) | — |
| Speed Bins (per datasheet) | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) | — |
| Bank Groups | 4 (BG0-BG1) | — |
| Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Row Address | A0-A16 (17 bits) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (RoHS Compliant per datasheet) | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] | — |
| Geardown Mode Note | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled | — |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| 데이터 속도 | — | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0C to +95C |
| 인터페이스 | — | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |