IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUC41N06S5L100ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC28N08S5L230ATMA1 מאת Infineon ו IAUC41N06S5L100ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) Yes (AEC-Q101 automotive grade)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 41 A
Power Dissipation (PD, TC) — 42 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 10 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel
Interconnect — Copper clip (low-inductance)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר