IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC50N08S5L096ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N06S5L073ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC50N08S5L096ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 50 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Power Dissipation (PD) | 60 W (Tc) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5) |
| מספר פינים | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |