IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N019DATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N027GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7N019DATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 7 40V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (array) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 160 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| Input Capacitance (Ciss, typ.) | 1.465 nF | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family) | — |
| ESD Protection | Yes (gate integrated) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) | [DATA_NEEDED: MSL] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| מארז / Case | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |