IPC50N04S55R8ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPC50N04S55R8ATMA1 מאת Infineon ו ISC011N04NM7VATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPC50N04S55R8ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 50 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 42 W | — |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | 5.8 mΩ | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 305 pF | — |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| מארז | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / Green | RoHS compliant, Green Product | — |
| Polarity | Enhancement Mode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |